[28p-F2-1~19] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[28p-F2-4] Air-Gapゲート構造を用いた酸化物界面のキャリア濃度変調 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○反保智貴¹，小塚裕介¹，Joseph Falson²，塚﨑敦^2,3，川﨑雅司¹ (東大院工¹，東大新領域²，JSTさきがけ³)

キーワード：ZnO、FET、Air-Gap