[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-12] △GaInNトンネル接合素子の低抵抗化 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○（M1）森田隆敏¹，加賀充¹，桑野侑香¹，松井健城¹，渡邉雅大¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名古屋大²)

キーワード：トンネル接合、GaInN、低抵抗化