[28p-G11-18] 酸化物半導体を用いたノーマリーオフの低コストパワー電界効果トランジスタの2Dデバイスシミュレーション (6:30 PM ~ 6:45 PM)
キーワード:Power Device、Field Effect Transistor、Zinc Oxide Transistor
一般セッション(口頭講演)
14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:45 G11 (B5号館 2F-2205)
キーワード:Power Device、Field Effect Transistor、Zinc Oxide Transistor