[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-8] ALDにより成膜したAl₂O₃を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気的特性 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○（B）吉田雄祐，岩田康宏，ジョセフ フリーズマン，久保俊晴，江川孝志 (名工大)

キーワード：ALD、MIS-HEMT