[28p-G20-1~16] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28p-G20-1] MBE技術の向上による量子ドットレーザの進化（30分） (2:00 PM ～ 2:30 PM)

^○西研一^1,2，影山健生^1,2，武政敬三^1,2，菅原充^1,2，荒川泰彦^1,3 (東大ナノ量子機構¹，QDレーザ²，東大生産研³)

キーワード：量子ドット、MBE、半導体レーザ