[28p-G20-1~16] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28p-G20-14] 斜め積層InAs/GaAs量子ドットの端面発光特性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○原田幸弘¹，別所侑亮¹，喜多隆¹，田口栄次²，保田英洋² (神戸大院工¹，阪大超高圧電子顕微鏡セ²)

キーワード：量子ドット、近接積層