2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

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[28p-G20-1~16] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:30 G20 (B5号館 4F-2404)

[28p-G20-2] Si直接ドーピングInAs/GaAs量子ドットのキャリア緩和過程 (2:30 PM ~ 2:45 PM)

長谷川隆一,原田幸弘,喜多隆 (神戸大院工)

キーワード:InAs/GaAs、量子ドット