[28p-G20-1~16] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28p-G20-8] △発光波長制御されたIn-flushed-QDの積層成長による1ミクロン帯広帯域発光 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○日野雄司¹，尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，杉本喜正³ (和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構³)

キーワード：量子ドット、光コヒーレンストモグラフィー、In-flush