[28p-G21-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-G21-6] RF-MBE法によるグラフェン/Si(100)基板上GaN成長 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○荒木努¹，阪口順一¹，内村智¹，名西やす之^2,3，Tatsuya Fujishima⁴，Tomás Palacios⁴，Amaia Zurutuza⁵ (立命館大理工¹，立命館大R-GIRO²，ソウル国立大³，マサチューセッツ工科大⁴，Graphenea⁵)

キーワード：MBE、GaN、グラフェン