2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[28p-G22-1~19] 15.6 IV族系化合物

2013年3月28日(木) 13:45 〜 18:45 G22 (B5号館 4F-2406)

[28p-G22-15] △反応性イオンエッチングを施した4H-SiC表面のμ-PCD法による評価 (5:30 PM ~ 5:45 PM)

森祐人,加藤正史,市村正也 (名工大)

キーワード:4H-SiC、μ-PCD法、反応性イオンエッチング