PDF ダウンロード スケジュール 3 いいね! 0 [28p-G22-15] △反応性イオンエッチングを施した4H-SiC表面のμ-PCD法による評価 (5:30 PM ~ 5:45 PM) ○森祐人,加藤正史,市村正也 (名工大) キーワード:4H-SiC、μ-PCD法、反応性イオンエッチング