[28p-G22-1~19] 15.6 IV族系化合物

[28p-G22-17] △DLTSおよびEPR測定による4H-SiC中のZ_1/2センターの起源同定 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○川原洸太朗¹，T.nguyen Son²，須田淳¹，木本恒暢¹ (京大工¹，Linkoping Univ.²)

キーワード：炭素空孔、深い準位、電子線照射