[28p-G22-1~19] 15.6 IV族系化合物

[28p-G22-8] 空間変調型接合終端構造の導入による21 kV SiC BJTの実現 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○奥田貴史，三宅裕樹，木本恒暢，須田淳 (京大院工)

キーワード：SiC、BJT、高耐圧