[28p-G6-1~17] 13.5 Siプロセス技術

[28p-G6-1] △プラズマ励起ALD SiN膜構造における応力評価 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○長坂将也¹，永田晃基^1,3，山口拓也¹，小椋厚志¹，陰地宏²，孫珍永²，広沢一郎²，渡部佳優⁴，廣田良浩⁴ (明治大理工¹，高輝度光科学センター²，学振特別研究員DC³，東京エレクトロン⁴)

キーワード：SiN