[28p-G6-1~17] 13.5 Siプロセス技術

[28p-G6-11] 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Ge膜のLeading Wave Crystallization (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（M1）上倉敬弘，林将平，森崎誠司，藤田悠二，赤澤宗樹，東清一郎 (広大院先端研)

キーワード：熱プラズマジェット、a-Ge、Leading Wave Crystallization