2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.5 Siプロセス技術

[28p-G6-1~17] 13.5 Siプロセス技術

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:30 G6 (B5号館 1F-2106)

[28p-G6-3] クロロシラン系原料分解における水素ラジカル発生源の検討 (2:30 PM ~ 2:45 PM)

久保田誠1,2,池田直樹1,2,鯉沼秀臣3,石垣隆正2,角谷正友1 (物材機構1,法政大2,東大新領域3)

キーワード:水素ラジカル、熱フィラメント法、シリコン