[28p-G6-1~17] 13.5 Siプロセス技術

[28p-G6-7] TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○山本圭介^1,3，光原昌寿²，西田稔²，王冬²，中島寛¹ (九大産学連携センター¹，九大総理工²，学振特別研究員³)

キーワード：Ge、SBH