[28p-G6-1~17] 13.5 Siプロセス技術

[28p-G6-8] As⁺イオン注入したゲルマニウム層の化学分析 -イオン注入温度依存性- (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○小野貴寛¹，大田晃生¹，花房宏明¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一² (広大院先端研¹，名大院工²)

キーワード：Ge、イオン注入