[28p-G6-1~17] 13.5 Siプロセス技術

[28p-G6-9] 三次元アトムプローブによる溝埋め込み多結晶Si中の不純物分布評価 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○矢野史子^1,2，高見澤悠¹，清水康雄¹，井上耕治¹，永井康介¹，国宗依信³，井上真雄³，西田彰男³，池田昌弘³ (東北大金研¹，東京都市大²，ルネサスエレ³)

キーワード：三次元アトムプローブ、多結晶シリコン、不純物分布