[28p-G8-1~14] 13.2 半導体表面

[28p-G8-13] △湿潤オゾンによるポリマー除去の反応メカニズムの解明(Ⅳ) (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○（DC）後藤洋介¹，安形行広¹，柄崎絵美¹，高橋聖司¹，小池国彦²，山岸忠明³，堀邊英夫¹ (金沢工大¹，岩谷産業²，金沢大³)

キーワード：レジスト除去、湿潤オゾン