2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 半導体表面

[28p-G8-1~14] 13.2 半導体表面

2013年3月28日(木) 13:00 〜 16:45 G8 (B5号館 2F-2202)

[28p-G8-4] in situ XPSによる湿度制御雰囲気下でのGeO2/Ge構造の観察:Ge3dスペクトル形状の湿度依存性 (1:45 PM ~ 2:00 PM)

有馬健太1,村敦史1,秀島伊織1,細井卓治1,渡部平司1,Zhi Liu2 (阪大院工1,バークレー国立研2)

キーワード:ゲルマニウム酸化物、X線光電子分光、濡れ性