2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 半導体表面

[28p-G8-1~14] 13.2 半導体表面

2013年3月28日(木) 13:00 〜 16:45 G8 (B5号館 2F-2202)

[28p-G8-9] △β-Si3N4結晶中における不純物金属原子の拡散機構に関する第一原理解析 (3:15 PM ~ 3:30 PM)

小林駿介1,柴田大生1,末岡浩治1,小町潤2,嵯峨幸一郎2 (岡山県大院情報系工1,ソニー2)

キーワード:シリコン窒化膜、不純物金属、第一原理計算