[28p-G8-1~14] 13.2 半導体表面

[28p-G8-9] △β-Si₃N₄結晶中における不純物金属原子の拡散機構に関する第一原理解析 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○小林駿介¹，柴田大生¹，末岡浩治¹，小町潤²，嵯峨幸一郎² (岡山県大院情報系工¹，ソニー²)

キーワード：シリコン窒化膜、不純物金属、第一原理計算