[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28p-G9-18] HfGeメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○佐田隆宏¹，山本圭介^2,3，王冬¹，中島寛² (九大・院総合理工¹，九大・産学連携センター²，学振特別研究員³)

キーワード：Ge、Schottky contact、MOSFET