[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-10] InGaN薄膜の表面ピット近傍の発光空間分布の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○倉井聡¹，若松歩¹，工藤広光²，岡川広明²，山田陽一¹ (山口大院理工¹，三菱化学²)

キーワード：カソードルミネッセンス、InGaN