[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-15] RF-MBE法による各種基板上GaN系ナノワイヤ成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○水谷駿介¹，田畑拓也¹，中川慎太¹，山口雅史¹，天野浩^1,2，井村将隆³，中山佳子³，竹口雅樹³ (名大院工¹，赤崎記念研究センター²，物材機構³)

キーワード：ナノワイヤ、MBE