[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-18] 加工(110)Si基板を用いたGaNの転位密度低減 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○名和健吾^1,2，光成正^1,2，本田善央^1,2，山口雅史^1,2，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤崎記念研究センター²)

キーワード：窒化物半導体