[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-2] 電界効果MOCVDによるSi(100)基板上へのInNの成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○太田優一，犬島喬 (東海大　総合理工)

キーワード：InN、MOCVD