[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-4] 硬X線光電子分光法を用いたMgドープIn0.70Ga0.30Nの表面-バルク電子状態評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○井村将隆¹，長田貴弘¹，荒木努⁴，名西やすし^4,5，小出康夫¹，A.L. Yang²，山下良之²，吉川英樹²，小林啓介²，山口智広³，武田寛之²，津田俊輔²，金子昌充⁴，上松尚⁴ (物材機構¹，SPring-8物材機構²，工学院大³，立命館大⁴，ソウル大⁵)

キーワード：InGaN、硬X線光電子分光法、Mgドープ