[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-7] MOVPE成長In_xGa_1-xN (x~0.3)膜のSiドーピング効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

三原章宏¹，鄭仰東^1,2，重川直輝³，^○山本高^1,2 (福井大工¹，JST-CREST²，大阪市大工³)

キーワード：InGaN、Si-doping、MOVPE