[28p-PA3-1~5] 15.8 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥

[28p-PA3-4] 水素イオン注入ZnOバルク単結晶のラザフォード後方散乱法による格子変位の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（B）甲斐田卓也¹，上岡一馬¹，伊田孝寛¹，栗山一男¹，串田一雅² (法政大理工¹，大阪教育大²)

キーワード：水素イオン、ZnO、ラザフォード後方散乱法