[29a-G11-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29a-G11-1] 表面活性化ボンディングによるSi/InGaPヘテロ接合のバンド構造評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○梁剣波，宮崎達也，西田将太，森本雅史，重川直輝 (大阪市立大)

キーワード：表面活性化ボンディング、InGaP/Si