[29a-G6-1~12] 13.1 基礎物性・評価

[29a-G6-1] 窒素同位体¹⁵Nを用いたSiN薄膜のレーザー補助3次元アトムプローブ分析検討 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○金野晃之¹，富田充裕¹，北本克征²，竹野史郎² (東芝研究開発センター¹，東芝S&S社²)

キーワード：アトムプローブ、レーザー、窒化膜