[29a-G6-1~12] 13.1 基礎物性・評価

[29a-G6-5] パルスバイアス印加が一次元連結Si系量子ドットの電界発光に及ぼす影響 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○鈴木善久¹，牧原克典¹，高見弘貴¹，池田弥央²，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

キーワード：Si、量子ドット、EL