[29a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[29a-G9-11] ▲Noise Characteristics of SOI MOSFET for Single-Photon Detection (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○Dedy Putranto^1,2，杜偉³，佐藤弘明¹，小野篤史¹，Purnomo Priambodo²，Djoko Hartanto²，猪川洋¹ (静岡大電子研¹，インドネシア大²，ワシントン州立大³)

キーワード：SOI MOSFET、低周波雑音、単一光子検出