[29a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[29a-G9-9] ▲Persistence of single-donor effect up to room temperature in SOI-MOSFETs (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○（P）Arup Samanta，エルファン ハミッド，ダニエル モラル，タケシ ミズノ，ミチハル タベ (電子工学研究所)

キーワード：Single-donor transistor、temperature dependence