[29a-PB6-1~13] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[29a-PB6-8] CoSi₂上CaF₂/CdF₂/Si量子井戸構造を用いたクロスポイント型抵抗スイッチング素子の保持特性評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○瓜生和也，傳田純也，須田慶太，桑田友哉，渡辺正裕 (東工大総理工)

キーワード：不揮発性メモリ、量子井戸