[29a-PB7-1~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29a-PB7-12] RF-MBE法によるSi上AlN膜基板を用いたGaNナノコラム規則配列成長 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○尾崎泰一朗^1,2，松山勇^1,2，水野愛^1,2，岸野克己^1,2 (上智大¹，上智ナノテクセンター²)

キーワード：柱状結晶