[29a-PB7-1~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29a-PB7-18] 原子層エピタキシー法を用いたGaAsN薄膜成長における不純物混入過程の検討 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○鈴木秀俊¹，山内俊浩¹，原口智宏²，前田幸治²，尾関雅志²，碇哲雄² (宮大IRO¹，宮大工²)

キーワード：GaAsN、原子層エピタキシー