[29a-PB7-1~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29a-PB7-6] 中性粒子ビームエッチングにより作製したGaAsナノディスクのPL特性のディスク高さ依存性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○海津利行^1,5，田村洋典^3,5，五十嵐誠^3,5，セドリック トーマス^3,5，胡衛国^3,5，寒川誠二^3,4,5，岡田至崇^2,5 (神戸大工¹，東大先端研²，東北大流体研³，東北大WPI-AIMR⁴，JST-CREST⁵)

キーワード：ナノディスク、中性粒子ビームエッチング、MBE再成長