[29p-B6-1~13] 重力応用研究グループ企画「重力場応用研究」

[29p-B6-4] ▲Effect of solute transport on dissolution of Si into Ge melt and growth of SiGe (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○Omprakash Muthusamy¹，Arivanandhan Mukannan¹，Arun Kumar Raman^1,2，森井久史¹，青木徹¹，小山忠信¹，百瀬与志美¹，池田浩也¹，立岡浩一¹，岡野泰則³，小澤哲夫⁴，稲富裕光⁵，Sridharan Moorthy Babu⁶，早川泰弘¹ (静岡大¹，PSG 工科大²，阪大³，静岡理工科大⁴，宇宙航空研究開発機構⁵，アンナ大⁶)

キーワード：SiGe、Solute transport、X-ray penetration method