[29p-B8-1~10] シリコン系薄膜形成技術の新展開

[29p-B8-4] Si_1-xGe_x/絶縁膜(x:0～1)の金属触媒成長（30分） (3:00 PM ～ 3:30 PM)

^○佐道泰造¹，朴鍾爀^1,2，黒澤昌志^1,2，都甲薫^1,3，宮尾正信¹ (九大システム情報¹，学振²，筑波大数物³)

キーワード：SiGe