2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

04.量子エレクトロニクス » 4.7 レーザー・プロセッシング

[29p-D2-1~19] 4.7 レーザー・プロセッシング

2013年3月29日(金) 13:30 〜 19:00 D2 (C5号館 3F-5310)

[29p-D2-4] △高繰り返しKrFエキシマレーザーによるP-implanted ZnOナノロッドのポストアニール (2:15 PM ~ 2:30 PM)

○(M2)下垣哲也,大藤太平,鉄山紀弘,岡﨑功太,東畠光洋,池上浩,中村大輔,浅野種正,岡田龍雄 (九大システム情報科学)

キーワード:酸化亜鉛、レーザーアニール、高繰り返しレーザー