[29p-G10-1~18] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[29p-G10-3] △架橋・非架橋構造のグラフェン抵抗変化型メモリの書込・消去特性 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○（M1）新留彩^1,2，別府伸耕^1,2，高橋綱己^1,2，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大院理工電子物理¹，慶應大理工電子工²，東工大量子ナノ研セ³)

キーワード：グラフェン、抵抗変化型メモリ