[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-10] アルミニウム陽極酸化膜付基板上に形成したa-InGaZnO4-TFT (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○中山昌哉，望月文彦，祐谷重徳，垣内良蔵，田中淳，鈴木真之 (富士フイルム)

キーワード：フレキシブル基板、酸化物半導体