[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-17] ボトムゲート型セルフアライン酸化物ＴＦＴの作製 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○中田充，辻博史，藤崎好英，佐藤弘人，中嶋宜樹，武井達哉，山本敏裕 (NHK技研)

キーワード：酸化物半導体、TFT、レーザ