[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-7] △ミストCVD法によるIGZO薄膜の作製とその特性 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○内田貴之¹，川原村敏幸²，古田守²，眞田克¹ (高知工大 シス工¹，高知工大 ナノ研²)

キーワード：酸化インジウムガリウム亜鉛、ミスト化学気相成長法、薄膜