[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-8] 大気圧ミストCVDを用いて作製したIGZO TFTの高移動度化 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○（PC）川原村敏幸¹，内田貴之²，王大鵬¹，眞田克²，古田守¹ (高知工大 ナノ研¹，高知工大 シス工²)

キーワード：酸化インジウムガリウム亜鉛薄膜トランジスタ、ミスト化学気相成長法、高移動度化