[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-9] a-InGaZnO₄薄膜の残留応力制御とTFT活性層への応用 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○岩松新之輔¹，竹知和重²，阿部泰¹，矢作徹¹，田邉浩²，小林誠也¹ (山形県工技セ¹，ＮＬＴテクノロジー²)

キーワード：IGZO、内部応力