[29p-G20-3~20] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29p-G20-13] ▲微傾斜基板上のInGaAs/GaAsP歪み補償多重量子井戸成長 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○Hassanet Sodabanlu¹，馬少駿²，渡辺健太郎¹，杉山正和²，中野義昭^1,2 (東大先端研¹，東大院工²)

キーワード：Multiple Quantum Wells、InGaAs/GaAsP、MOVPE