[29p-G20-3~20] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29p-G20-14] InP基板上に成長した厚いInGaAsN層の特性評価 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

堀内誠¹，三浦広平^1,2，猪口康博²，^○河村裕一¹ (大阪府立大¹，住友電気工業²)

キーワード：化合物半導体、エピタキシャル成長