[29p-G20-3~20] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29p-G20-15] 窒素を高濃度デルタドープしたGaAsの磁気光学特性 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○原田幸弘，山本益輝，馬場健，喜多隆 (神戸大院工)

キーワード：希薄窒化物半導体、デルタドーピング